... sau cel puțin nu mai cumpărați altele până la anu’ dacă nu-i musai:
http://hardware.slashdot.org/story/15/07/28/1830202/intel-and-micron-unveil-3d-xpoint-memory-1000x-speed-and-endurance-over-flash
http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/07/28/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology
- de 1000 de ori mai rapidă decât NAND, de 1000 de ori mai durabilă;
- permite densități de 8 - 10 ori mai mari decât memoria convențională, poate fi realizată în volum de material, nu pe suprafață;
- costul undeva între DRAM și NAND;
- “Products with the new memory are expected to arrive in 2016 and the joint venture is in production with wafers now”.